Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 23 A, HSOF, 表面安装, 8引脚, IPT60R150G7XTMA1, C7 GOLD系列
- RS 库存编号:
- 219-6013
- 制造商零件编号:
- IPT60R150G7XTMA1
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 219-6013
- 制造商零件编号:
- IPT60R150G7XTMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 23A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | HSOF | |
| 系列 | C7 GOLD | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 150mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | 0.8V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 23nC | |
| 最大功耗 Pd | 106W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 10.58 mm | |
| 高度 | 2.4mm | |
| 长度 | 10.1mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 23A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 HSOF | ||
系列 C7 GOLD | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 150mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf 0.8V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 23nC | ||
最大功耗 Pd 106W | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 10.58 mm | ||
高度 2.4mm | ||
长度 10.1mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon CoolMOS C7 镀金超结 MOSFET 系列 (G7) 结合了改进的 600V CoolMOS ™ C7 镀金技术的优点， 4 引脚 Kelvin 源容量和 TO 无铅 (Toll) 封装的改进热特性，可为高达 3kW 的高电流硬切换拓扑 (如功率因数校正 (PFC)) 和高端 LLC 等谐振电路提供可能的 SMD 解决方案。
提供杰出 FOM R DS (on) XE OSS 和 R DS (on) XQ G
以最小的占用空间启用杰出 R DS (on)
内置第 4 引脚 Kelvin 源配置和低寄生源电感 (∼1nH)
符合 MSL1 标准，完全无铅，具有轻松的 Visual 检查槽形引线
可提高热性能
由于改进的 C7 Gold 技术和更快的切换速度，效率更高
由于具有低 R DS (on) 和小尺寸，通过更换封装 (高度限制) 或由于热或 R DS (on) 要求而并联 SMD 封装，提高了功率密度