Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 360 A, TO-247, 表面安装, 3引脚, IPW60R024CFD7XKSA1, CoolMOS CSFD系列

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制造商零件编号:
IPW60R024CFD7XKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

360A

最大漏源电压 Vd

650V

系列

CoolMOS CSFD

包装类型

TO-247

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

24mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

183nC

最大功耗 Pd

320W

最大栅源电压 Vgs

20 V

正向电压 Vf

1V

最高工作温度

150°C

高度

5.21mm

标准/认证

No

长度

16.13mm

宽度

21.1 mm

汽车标准

Infineon CoolMOS CFD7 超结 MOSFET IPW60R024CFD7 600V 特别适用于高功率 SMPS 中的谐振拓扑,如服务器,电信和 EV 充电站,可显著提高效率。作为 CFD2 SJ MOSFET 系列的后继产品,它具有更低的栅极电荷,更好的关闭行为以及与竞争对手相比反向恢复电荷降低高达 69%。

超快主体二极管

杰出反向恢复电荷 (Qrr)

改进的反向二极管 dv/dt 和 dif/dt 坚固性