Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 386 A, TO-247, 表面安装, 3引脚, CoolMOS P7系列
- RS 库存编号:
- 219-6018
- 制造商零件编号:
- IPW60R024P7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 219-6018
- 制造商零件编号:
- IPW60R024P7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 386A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 系列 | CoolMOS P7 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 24mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 291W | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 164nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 21.1 mm | |
| 长度 | 16.13mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 5.21mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 386A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 TO-247 | ||
系列 CoolMOS P7 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 24mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 291W | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 164nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 21.1 mm | ||
长度 16.13mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 5.21mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 600V CoolMOS P7 超结 MOSFET 是 600V CoolMOS ™ P6 系列的后继产品。它继续在设计过程中兼顾对高效率的需求和易用性。杰出 RonxA 和 CoolMOS ™第 7 代平台固有的低栅极电荷 (QG) 可确保其高效率。
600V P7 可启用出色的 FOM RDS (接通) xEoss 和 RDS (接通) xQG
集成栅极电阻器 RG
坚固的体二极管
广泛的产品组合，采用通孔和表面安装封装
提供标准级和工业级部件
集成 RG 可降低 MOSFET 振荡灵敏度
MOSFET 适用于硬和谐振切换拓扑，如 PFC 和 LLC
在 LLC 拓扑结构中，主体二极管硬换向期间具有出色的坚固性
适用于各种终端应用和输出功率
提供的部件适用于消费和工业应用