Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 236 A, TO-247, 表面安装, 3引脚, IPW60R037CSFDXKSA1, CoolMOS CSFD系列
- RS 库存编号:
- 219-6021P
- 制造商零件编号:
- IPW60R037CSFDXKSA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|
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- 219-6021P
- 制造商零件编号:
- IPW60R037CSFDXKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 236A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 系列 | CoolMOS CSFD | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 37mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最大功耗 Pd | 245W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 136nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 5.21mm | |
| 长度 | 16.13mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 21.1 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 236A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
系列 CoolMOS CSFD | ||
包装类型 TO-247 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 37mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最大功耗 Pd 245W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 136nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 5.21mm | ||
长度 16.13mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 21.1 mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon IPW60R037CSFD CoolMOS 超结 MOSFET 是经过优化的设备，专为满足板载 EV 充电市场领域的需求而定制。得益于低栅极电荷 (Qg) 和改进的切换行为，它可在目标市场中提供最高效率。此外，它还随附集成快速主体二极管和大幅降低反向恢复电荷 (Qrr) ，可在谐振拓扑中实现最高可靠性。由于具有这些功能， IPW60R037CSFD 符合车载 EV 充电站市场的效率和可靠性标准，并进一步支持高功率密度解决方案。
超快主体二极管
杰出反向恢复电荷 (Qrr)
改进的反向二极管 dv/dt 和 dif/dt 坚固性