Infineon N沟道增强型MOSFET 晶体管 + 二极管, Vds=40 V, 162 A, D2PAK （TO-263）, 贴片安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 220-7340
- 制造商零件编号:
- AUIRF1404STRL
- 制造商:
- Infineon
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小计（1 卷，共 800 件）*
¥27,486.40
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | RMB34.358 | RMB27,486.40 |
| 1600 - 2400 | RMB33.327 | RMB26,661.60 |
| 3200 + | RMB32.327 | RMB25,861.60 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 220-7340
- 制造商零件编号:
- AUIRF1404STRL
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 162 A | |
| 最大漏源电压 | 40 V | |
| 封装类型 | D2PAK （TO-263） | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 0.004 o | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 162 A | ||
最大漏源电压 40 V | ||
封装类型 D2PAK （TO-263） | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 0.004 o | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
Infineon AUIRF1404STRL 是专为汽车应用而设计的，这条带。它采用 hex场 效应功率半导体场效应晶体管的平面设计，利用最新的处理技术，在每个硅片区域实现低导通电阻。此优势结合了 ex场 效应功率式高功率器件闻名的快速开关速度和耐震器件设计、为设计人员提供了一个极其高效和可靠的器件、适用于汽车和各种其他应用。
Advanced
动态 dv/dt 额定值
175°C 工作温度
快速切换
完全雪崩等级
重复雪崩允许高达 tjmax
无铅，符合 RoHS 标准
符合汽车规格
动态 dv/dt 额定值
175°C 工作温度
快速切换
完全雪崩等级
重复雪崩允许高达 tjmax
无铅，符合 RoHS 标准
符合汽车规格