Infineon N型沟道 增强型 MOSFET & 二极管, Vds=40 V, 205 A, TDSON, 表面安装, 8引脚, OptiMOS 5系列

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包装方式:
RS 库存编号:
220-7350P
制造商零件编号:
BSC014N04LSTATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET & 二极管

最大连续漏极电流 Id

205A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

TDSON

系列

OptiMOS 5

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

1.4mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

61nC

最大功耗 Pd

115W

正向电压 Vf

1V

最大栅源电压 Vgs

20 V

最高工作温度

175°C

宽度

6.1 mm

标准/认证

No

长度

5.35mm

高度

1.2mm

汽车标准

Infineon SuperSO8 封装的功率 mosfet 采用新型技术、同时封装温度也得到了改善。此新组合可实现更高的功率密度和更高的坚固性。与较低的额定设备相比、 175°c tj_max 功能可在更高的工作接点温度下提供更大的功率、或在相同的工作接点温度下提供更长的使用寿命。此外、安全工作区域( soa )的性能提高了 20% 。此新封装功能特别适用于电信、电动机驱动器和服务器等应用。

低 RDS(接通)

经优化可用于同步整流

增强了 SuperSO8 的 175°c 性能

更长的使用寿命

最高效率和功率密度

最高的系统可靠性

热稳定性