Infineon N沟道增强型MOSFET 晶体管 + 二极管, Vds=650 V, 78 A, TO-220 FP, 通孔安装, 3引脚, CoolMOS™ P7系列
- RS 库存编号:
- 220-7367
- 制造商零件编号:
- IPA60R120P7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB12.498 | RMB624.90 |
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| 200 + | RMB11.759 | RMB587.95 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 220-7367
- 制造商零件编号:
- IPA60R120P7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 78 A | |
| 最大漏源电压 | 650 V | |
| 系列 | CoolMOS™ P7 | |
| 封装类型 | TO-220 FP | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 0.12 o | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 78 A | ||
最大漏源电压 650 V | ||
系列 CoolMOS™ P7 | ||
封装类型 TO-220 FP | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 0.12 o | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
the Infineon 600V cool mos P7 超结 mosfet 是 600V cool mos P6 系列的后继产品。它继续在设计过程中兼顾对高效率的需求与易用性。杰出的 ronxa 和 cool mos 7th 发电平台固有的低栅极电荷（ qg ）可确保其高效率。
600V P7 可实现出色的 fom rds （接通） xeoss 和 rds （接通） xq
≥ 2kV 的 esd 坚固性（ hbm 2 类）
集成栅极电阻器电阻器
坚固的体二极管
广泛的产品组合、采用通孔和表面安装封装
提供标准级和工业级部件
出色的 rds （接通） xqg / rds （接通） xeoss 可实现更高的效率
通过阻止 esd 故障的发生、在制造环境中易于使用
集成式设计可降低 mosfet 振荡灵敏度
mosfet 适用于硬开关和谐振开关拓扑 例如 pfc 和 llc
在所见车身二极管的硬换向期间具有出色的坚固 在 llc 拓扑中
适用于各种终端应用和输出 权力
提供适合消费和工业应用的部件
≥ 2kV 的 esd 坚固性（ hbm 2 类）
集成栅极电阻器电阻器
坚固的体二极管
广泛的产品组合、采用通孔和表面安装封装
提供标准级和工业级部件
出色的 rds （接通） xqg / rds （接通） xeoss 可实现更高的效率
通过阻止 esd 故障的发生、在制造环境中易于使用
集成式设计可降低 mosfet 振荡灵敏度
mosfet 适用于硬开关和谐振开关拓扑 例如 pfc 和 llc
在所见车身二极管的硬换向期间具有出色的坚固 在 llc 拓扑中
适用于各种终端应用和输出 权力
提供适合消费和工业应用的部件