Infineon N沟道增强型MOSFET & 二极管, Vds=650 V, Id=26 A, 3针, TO-220, CoolMOS P7系列

RS 库存编号:: 220-7367
制造商零件编号:: IPA60R120P7XKSA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET & 二极管, Vds=650 V, Id=26 A, 3针, TO-220, CoolMOS P7系列

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RS 库存编号:: 220-7367
制造商零件编号:: IPA60R120P7XKSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET和二极管
	最大连续漏极电流 Id	26A
	最大漏源电压 Vd	650V
	系列	CoolMOS P7
	包装类型	TO-220
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	120mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	30V
	正向电压 Vf	0.9V
	最大功耗 Pd	28W
	最高工作温度	+150°C
	标准/认证	No
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET和二极管
	最大连续漏极电流 Id 26A
	最大漏源电压 Vd 650V
	系列 CoolMOS P7
	包装类型 TO-220
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 120mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 30V
	正向电压 Vf 0.9V
	最大功耗 Pd 28W
	最高工作温度 +150°C
	标准/认证 No
	汽车标准否

Datasheet - IPA60R120P7XKSA1

Infineon CoolMOS P7 系列 MOSFET 和二极管,650V 最大漏源电压,78A 最大连续漏电流 - IPA60R120P7XKSA1

这款 MOSFET 和二极管是一款高电压电源开关设备,专为通孔安装在 TO-220 封装中设计,将 N 通道增强模式晶体管与集成二极管相结合,适用于要求严苛的电子电源电路。它专为需要大电流能力和高温耐久性的应用而设计,可在宽环境温度范围内运行。

特性和优点：

• 650V 额定值可在单个设备中实现高压切换
• 78A的连续漏极电流支持重载处理
• 120mΩ 低导通电阻,可减少传导损耗
• 最大功耗为28W,可实现持久功率处理
• 0.9V 正向二极管电压可最大限度减少二极管传导损耗
• 30V 栅极-源极限允许标准栅极驱动电压

应用

• 适用于高压电源转换器和反相器
• 适用于工业电机驱动开关级应用
• 与需要高电流的开关模式电源配合使用
• 可用于功率因数校正电路
• 适用于通孔 TO-220 设计中的替换

这款组件在运行时可承受的热量范围是多少?

它可在 -55°C 至 +150°C 的温度范围内运行,适用于高温环境。

PCB 组装需要采用哪种安装方式？

它专为通孔安装而设计,采用 TO-220 封装,可实现牢固的机械和热连接。

它使用哪种通道和传导模式进行切换?

该设备使用配置为增强模式的 N 通道半导体,用于标准栅极驱动传导。

它是否符合汽车级标准?

它未被指定符合汽车标准分类。

封装提供多少引脚用于电气连接?

该封装提供三个用于栅极、漏极和源极连接的引脚。