Infineon N沟道增强型MOSFET和二极管, Vds=100 V, Id=170 A, 3针, TO-263, OptiMOS 5系列

RS 库存编号:: 220-7380P
制造商零件编号:: IPB033N10N5LFATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET和二极管, Vds=100 V, Id=170 A, 3针, TO-263, OptiMOS 5系列

此图片代表整个产品系列，仅供参考。

可享批量折扣

查看批量定价选项

小计 250 件 (以卷装提供)*

RMB10,110.00

(不含税)

RMB11,425.00

1,684 件将从其他地点发货

**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位	每单位
250 - 498	RMB40.44
500 +	RMB39.215

* 参考价格

RS 库存编号:: 220-7380P
制造商零件编号:: IPB033N10N5LFATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

通过选择一个或多个属性来查找类似产品。

选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET和二极管
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	170A
	最大漏源电压 Vd	100V
	包装类型	TO-263
	系列	OptiMOS 5
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	3.3mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	179W
	最大栅源电压 Vgs	20V
	正向电压 Vf	1.2V
	最高工作温度	+150°C
	标准/认证	No
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET和二极管
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 170A
	最大漏源电压 Vd 100V
	包装类型 TO-263
	系列 OptiMOS 5
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 3.3mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 179W
	最大栅源电压 Vgs 20V
	正向电压 Vf 1.2V
	最高工作温度 +150°C
	标准/认证 No
	汽车标准否

Datasheet - IPB033N10N5LFATMA1

Infineon OptiMOS 5 系列 MOSFET 和二极管,100V 最大漏源电压,170A 最大连续漏电流 - IPB033N10N5LFATMA1

这款 MOSFET 和二极管是一款表面贴装式电源设备,专为在严苛的热环境中进行高电流开关而设计。它将 N 通道增强装置与 TO-263 封装中的一体式二极管相结合,为宽温度范围内的功率转换和开关任务提供紧凑型解决方案。

特性和优点：

• 100V 额定值可在中压系统中运行
• 3.3mΩ RDS(on)可减少重负载下的传导损耗
• 170A 连续漏电流支持高电流应用
• 179W 功耗,可实现持久的高功率运行
• 1.2 V 正向二极管电压可最大限度减少开关损耗
• 20V 栅极容差允许灵活的栅极驱动电压

应用

• 适用于服务器电源初级切换
• 适用于转换器的同步整流
• 用于电机驱动半桥级
• 可用于电池管理高电流路径
• 与需要低传导损耗的直流-直流转换器配合使用

它在运行过程中能承受的环境温度范围是多少?

其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C。

设计人员应规划哪种封装和安装方式？

它采用TO-263封装,适用于PCB组件上的表面安装。

该设备如何适应高电流热设计?

170 A 连续额定电流与 179 W 最大耗散功率相结合,可用于需要通过PCB铜垫和散热垫进行大量热量管理的设计。

必须注意哪些栅极驱动限制？

栅极-源电压不得超过 20 V,以保持在安全工作范围内。

什么传导特性会影响功率损耗计算?

3.3mΩ 的低漏源电阻是估计工作电流时的传导损耗的关键参数。