Infineon N型沟道 增强型 MOSFET & 二极管, Vds=100 V, 80 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, OptiMOS 3系列
- RS 库存编号:
- 220-7381
- 制造商零件编号:
- IPB065N10N3GATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- 制造商零件编号:
- IPB065N10N3GATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET & 二极管 | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 80A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 系列 | OptiMOS 3 | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 6.5mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET & 二极管 | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 80A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
系列 OptiMOS 3 | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 6.5mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 100V 的功率功率为高效、高功率密度的开关电源提供了卓越的解决方案。与下一代最佳技术相比、此系列的 r ds （ on ）和品质因数均降低了 30% 。
极佳的切换性能
世界最低的 R DS(on)
非常低的 Q g 和 Q gd
极佳的栅极电荷 x R DS(on) 产品 (FOM)
环保型
效率提高
最高功率密度
所需并联减少
最小板空间消耗
易于设计式产品