Infineon N型沟道 增强型 MOSFET & 二极管, Vds=650 V, 151 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, CoolMOS P7系列
- RS 库存编号:
- 220-7388
- 制造商零件编号:
- IPB60R060P7ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- 制造商零件编号:
- IPB60R060P7ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET & 二极管 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 151A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | CoolMOS P7 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 60mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET & 二极管 | ||
最大连续漏极电流 Id 151A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 CoolMOS P7 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 60mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
the Infineon 600V cool mos P7 超结 mosfet 是 600V cool mos P6 系列的后继产品。它继续在设计过程中兼顾对高效率的需求与易用性。杰出的 ronxa 和 cool mos 7th 发电平台固有的低栅极电荷（ qg ）可确保其高效率。
600V P7 可实现出色的 fom rds （接通） xeoss 和 rds （接通） xq
≥ 2kV 的 esd 坚固性（ hbm 2 类）
集成栅极电阻器电阻器
坚固的体二极管
广泛的产品组合、采用通孔和表面安装封装
提供标准级和工业级部件
出色的 rds （接通） xqg / rds （接通） xeoss 可实现更高的效率
通过阻止 esd 故障的发生、在制造环境中易于使用
集成式设计可降低 mosfet 振荡灵敏度
mosfet 适用于硬开关和谐振开关拓扑 例如 pfc 和 llc
在所见车身二极管的硬换向期间具有出色的坚固 在 llc 拓扑中
适用于各种终端应用和输出 权力
提供适合消费和工业应用的部件