Infineon N型沟道 增强型 MOSFET & 二极管, Vds=650 V, 57.2 A, TO-263, 表面安装, CoolMOS P7系列
- RS 库存编号:
- 220-7393P
- 制造商零件编号:
- IPB65R190CFDAATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- 220-7393P
- 制造商零件编号:
- IPB65R190CFDAATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET & 二极管 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 57.2A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 系列 | CoolMOS P7 | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 190mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET & 二极管 | ||
最大连续漏极电流 Id 57.2A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
系列 CoolMOS P7 | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
最大漏源电阻 Rd 190mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
the Infineon 650V cool mos cfda 超级接点（ sj ） mosfet 是 the 英飞凌公司第二代市场领先的汽车高压 cool mos 功率 mosfet 。除了汽车行业所需的高质量和可靠性的闻名属性外、 650V cool mos cfda 系列还提供集成快速主体二极管。
首款 650V 汽车认证技术、带集成快速主体二极管 在市场上
硬换向期间有限电压过冲–自限制 di/dt 和 dv/dt
低栅极电荷值 q g
车身二极管和上的重复换向时 q rr 低 低 q oss
减少接通和延时时间
由于击穿电压较高、安全裕度增加
减少 emi 外观、易于设计
更好的轻负载效率
降低切换损耗
可提供更高的切换频率和 / 或更高的占空比
高质量和高可靠性