Infineon N型沟道 增强型 MOSFET & 二极管, Vds=60 V, 30 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, OptiMOS系列
- RS 库存编号:
- 220-7404P
- 制造商零件编号:
- IPD30N06S4L23ATMA2
- 制造商:
- Infineon
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- 220-7404P
- 制造商零件编号:
- IPD30N06S4L23ATMA2
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET & 二极管 | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 30A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 23mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 16.1nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 16 V | |
| 最大功耗 Pd | 36W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 高度 | 2.41mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 6.22 mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET & 二极管 | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 30A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 OptiMOS | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 23mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 16.1nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最大栅源电压 Vgs 16 V | ||
最大功耗 Pd 36W | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 6.73mm | ||
高度 2.41mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 6.22 mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon 55V 的 60V n 通道汽车功率 mosfet 系列范围广泛、它采用最新的最佳 mosfet 技术、封装范围广、 rds （接通）范围从 1.5mΩ m ² 到 160mΩThe ² ；采用 OptiMOS5 技术的新型 60V 汽车 mosfet 系列可提供更大功率和领先性能。优化用于驱动器和功率转换应用的时候、可减少传导损耗。SSO8 （ 5x6mm2 ）和 S3O8 （ 3x3mm2 ）更小的无引线封装与 dak 区域相比、可节省 50% 以上的空间。
N 通道 - 增强模式
符合 aec Q101 标准
MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作温度
绿色产品（符合 RoHS 标准）
100% 雪崩测试
60V 时全球最低 rds （接通）
最高电流容量
开关和传导功率损耗最低、可实现最高热效率
具有卓越质量和可靠性的坚固封装
经过优化的总栅极电荷可实现更小的驱动器输出级