Infineon N沟道增强型MOSFET & 二极管, Vds=60 V, Id=30 A, 3针, TO-252, OptiMOS系列
- RS 库存编号:
- 220-7404P
- 制造商零件编号:
- IPD30N06S4L23ATMA2
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 220-7404P
- 制造商零件编号:
- IPD30N06S4L23ATMA2
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET和二极管 | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 30A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 23mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 16.1nC | |
| 最大功耗 Pd | 36W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 16V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 高度 | 2.41mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET和二极管 | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 30A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 OptiMOS | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 23mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 16.1nC | ||
最大功耗 Pd 36W | ||
最大栅源电压 Vgs 16V | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 6.73mm | ||
宽度 6.22mm | ||
高度 2.41mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS 系列 MOSFET 和二极管,60V 最大漏极源电压,30A 最大连续漏极电流 - IPD30N06S4L23ATMA2
这款 MOSFET 和二极管是一款专为严苛电气环境中的高电流应用而设计的电源开关设备。它是一款集成二极管的 N 通道增强模式晶体管,专为在需要强大导电性能和耐热性的系统中进行表面贴装部署而设计。该组件可在宽温度范围内工作,专为满足汽车应力要求而设计,适用于车辆电子设备和工业控制。
特性和优点：
• 60V 额定值可切换中等电压电源导轨
• 30 A 连续漏电流支持高电流负载
• 23 mΩ Rds(on) 可最大程度降低负载条件下的传导损耗
• 36W 功耗,可实现持久功率处理
• 16.1 nC 典型栅极电荷提供可预测的开关行为
• 1.3V正向电压,可实现高效的二极管传导
• 30 A 连续漏电流支持高电流负载
• 23 mΩ Rds(on) 可最大程度降低负载条件下的传导损耗
• 36W 功耗,可实现持久功率处理
• 16.1 nC 典型栅极电荷提供可预测的开关行为
• 1.3V正向电压,可实现高效的二极管传导
应用
• 适用于汽车电源管理模块
• 适用于车辆直流电机驱动级
• 与高电流转换器和稳压器配合使用
• 可用于工业设备的负载切换
• 适用于需要耐热性的表面贴装组件
• 适用于车辆直流电机驱动级
• 与高电流转换器和稳压器配合使用
• 可用于工业设备的负载切换
• 适用于需要耐热性的表面贴装组件
使用时必须遵守哪些栅极电压限制？
该设备不得驱动超过 ±16 V 栅极至源,以防止栅极应力。
该组件使用哪种封装和安装方式?
它采用TO-252封装,适用于表面安装,配备三个引脚。
该设备在极端温度下的表现如何?
其工作温度范围为-55°C至175°C,适用于宽温度环境。
采用哪种通道传导类型,对激活有何影响?
它使用 N 通道增强模式,因此需要相对源的正栅极电压才能开启。