Infineon N型沟道 增强型 MOSFET & 二极管, Vds=650 V, 51 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, IPD60R170CFD7ATMA1, CoolMOS系列
- RS 库存编号:
- 220-7407
- 制造商零件编号:
- IPD60R170CFD7ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 220-7407
- 制造商零件编号:
- IPD60R170CFD7ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET & 二极管 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 51A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 系列 | CoolMOS | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 170mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 28nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 76W | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 宽度 | 6.22 mm | |
| 高度 | 2.41mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET & 二极管 | ||
最大连续漏极电流 Id 51A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
系列 CoolMOS | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 170mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 28nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 76W | ||
标准/认证 No | ||
长度 6.73mm | ||
宽度 6.22 mm | ||
高度 2.41mm | ||
汽车标准 否 | ||
the Infineon 600V cool mos CFD7 是英飞凌公司最新的高压超级结 mosfet 技术，集成了快速主体二极管，从而完善了 cool mos 7 系列。cool mos CFD7 具有更低的栅极电荷 (qg) 、更好的关闭行为和比竞争产品低 69% 的反向恢复电荷 (qrr) 以及市场上最低的反向恢复时间 (trr) 。
超快主体二极管
同类杰出的反向恢复充电（ qrr ）
改进了反向二极管 dv/dt 和 dif/dt 坚固性
最低 fom rds （接通） x qg 和 eoss
同类杰出的 rds （接通） / 封装
同类杰出的硬换向坚固性
用于谐振拓扑的最高可靠性
效率最高、卓越的易用性 / 性能权衡
实现更高的功率密度解决方案