Infineon N沟道增强型MOSFET & 二极管, Vds=700 V, Id=49 A, 3针, TO-252, CoolMOS C7系列
- RS 库存编号:
- 220-7409P
- 制造商零件编号:
- IPD65R190C7ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|
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- RS 库存编号:
- 220-7409P
- 制造商零件编号:
- IPD65R190C7ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET & 二极管 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 49A | |
| 最大漏源电压 Vd | 700V | |
| 系列 | CoolMOS C7 | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 900mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 23nC | |
| 最大功耗 Pd | 72mW | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 高度 | 2.41mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET & 二极管 | ||
最大连续漏极电流 Id 49A | ||
最大漏源电压 Vd 700V | ||
系列 CoolMOS C7 | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 900mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 23nC | ||
最大功耗 Pd 72mW | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
宽度 6.22mm | ||
长度 6.73mm | ||
高度 2.41mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
the Infineon C7 超结 mosfet 系列是革命性的技术进步、可提供世界上最低的 rds （接通） / 封装、并且由于其低切换损耗、在整个负载范围内效率得到了提高。
650V 电压
革命性杰出的 r ds （ on ） /
减少输出电容（ eoss ）中存储的能量
降低栅极电荷 qg
通过使用更小的封装或减少使用、节省空间 零件
12 年超结技术制造经验
改进的安全裕度、适用于开关电源和太阳能 变频器应用
最低传导损耗 / 封装
低切换损耗
更好的轻负载效率
提高功率密度
卓越的 cool mos ™