Infineon N沟道增强型MOSFET 晶体管 + 二极管, Vds=60 V, 90 A, TO-252, 贴片安装, 3引脚, OptiMOS™系列
- RS 库存编号:
- 220-7413
- 制造商零件编号:
- IPD90N06S407ATMA2
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | RMB4.154 | RMB10,385.00 |
| 5000 - 7500 | RMB4.071 | RMB10,177.50 |
| 10000 + | RMB3.949 | RMB9,872.50 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 220-7413
- 制造商零件编号:
- IPD90N06S407ATMA2
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 90 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 系列 | OptiMOS™ | |
| 封装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 0.0069 o | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 20V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 90 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
系列 OptiMOS™ | ||
封装类型 TO-252 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 0.0069 o | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 20V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
Infineon 55V 的 60V 系列 n 沟道汽车功率 mosfet 采用最新的最佳 mosfet 技术、封装范围为 1.5mΩ μ m 至 160mΩ μ m 。全新的 60V 汽车 mosfet 系列采用 OptiMOS5 技术、功率更大、性能更领先。优化用于驱动器和功率转换应用的时候、可减少传导损耗。SSO8 （ 5x6mm2 ）和 S3O8 （ 3x3mm2 ）更小的无引线封装与 dak 区域相比、可节省 50% 以上的空间。
N 通道 - 增强模式
MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作温度
100% 雪崩测试
超低 rdson
60V 时全球最低 rds （接通）
最高电流容量
开关和传导功率损耗最低、可实现最高热效率
具有卓越质量和可靠性的坚固封装
经过优化的总栅极电荷可实现更小的驱动器输出级
MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作温度
100% 雪崩测试
超低 rdson
60V 时全球最低 rds （接通）
最高电流容量
开关和传导功率损耗最低、可实现最高热效率
具有卓越质量和可靠性的坚固封装
经过优化的总栅极电荷可实现更小的驱动器输出级