Infineon N型沟道 增强型 MOSFET & 二极管, Vds=60 V, 90 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, IPD90N06S407ATMA2, OptiMOS系列

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220-7414
制造商零件编号:
IPD90N06S407ATMA2
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET & 二极管

最大连续漏极电流 Id

90A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

TO-252

系列

OptiMOS

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

6.9mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

43nC

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

79W

正向电压 Vf

1.3V

最高工作温度

175°C

宽度

6.22 mm

标准/认证

No

高度

2.41mm

长度

6.73mm

汽车标准

AEC-Q101

Infineon 55V 的 60V 系列 n 沟道汽车功率 mosfet 采用最新的最佳 mosfet 技术、封装范围为 1.5mΩ μ m 至 160mΩ μ m 。全新的 60V 汽车 mosfet 系列采用 OptiMOS5 技术、功率更大、性能更领先。优化用于驱动器和功率转换应用的时候、可减少传导损耗。SSO8 ( 5x6mm2 )和 S3O8 ( 3x3mm2 )更小的无引线封装与 dak 区域相比、可节省 50% 以上的空间。

N 通道 - 增强模式

MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接

175°C 工作温度

100% 雪崩测试

超低 rdson

60V 时全球最低 rds (接通)

最高电流容量

开关和传导功率损耗最低、可实现最高热效率

具有卓越质量和可靠性的坚固封装

经过优化的总栅极电荷可实现更小的驱动器输出级

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。