Infineon P型沟道增强型MOSFET和二极管, Vds=30 V, Id=90 A, 3针, TO-252, OptiMOS系列

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包装方式：
RS 库存编号:
220-7416
制造商零件编号:
IPD90P03P4L04ATMA2
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET和二极管

最大连续漏极电流 Id

90A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

TO-252

系列

OptiMOS

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

4.1mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

125nC

最大栅源电压 Vgs

5V

最大功耗 Pd

137W

正向电压 Vf

-1.3V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

宽度

6.22mm

标准/认证

No

高度

2.41mm

长度

6.73mm

汽车标准

AEC-Q101

Infineon OptiMOS 系列 MOSFET 和二极管,30V 最大漏极源电压,90A 最大连续漏极电流 - IPD90P03P4L04ATMA2


这款 MOSFET 和二极管是一款表面贴装式电源设备,专为汽车和功率转换环境中的高电流开关而设计。它集成了体二极管,并作为P通道增强模式晶体管运行,适用于需要低导通电阻和在宽温度范围内具有强大的耐热性能的系统。

特性和优点：


• 30V 漏电额定值支持低电压功率级设计
• 4.1mΩ Rds(on)可减少大电流时的传导损耗
• 90A 连续排放能力支持高电流应用
• 137W 功耗，支持持续的热负载
• 125nC 典型栅极电荷，确保可预测的开关特性

应用


• 适用于汽车直流-直流转换器功率级
• 适用于高电流同步整流电路
• 与电机驱动低压电源导轨配合使用
• 可用于电池管理和配电

它采用哪种封装和安装方式？


它采用 TO-252 封装,适用于表面安装。

它在极端温度条件下的表现如何？


它的额定工作温度范围为 -55°C 至 175°C,适用于广泛的温度部署。

栅极电压限制和开关意义是什么?


最大栅极-源电压为 5V,可定义允许的栅极驱动振幅并影响开关边缘。

集成二极管的正向电压特性是什么?


主体二极管在指定条件下测量的正向电压为 -1.3V。

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