Infineon N型沟道 增强型 MOSFET & 二极管, Vds=650 V, 45 A, HDSOP, 表面安装, 10引脚, C7 GOLD系列

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包装方式:
RS 库存编号:
220-7420P
制造商零件编号:
IPDD60R150G7XTMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET & 二极管

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

45A

最大漏源电压 Vd

650V

系列

C7 GOLD

包装类型

HDSOP

安装类型

表面

引脚数目

10

最大漏源电阻 Rd

150mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

23nC

最大功耗 Pd

95W

正向电压 Vf

0.8V

高度

21.11mm

长度

6.6mm

宽度

2.35 mm

标准/认证

No

汽车标准

the Infineon 技术推出了双 dak (ddpack) ,这是首款顶部冷却表面安装设备 (smd )封装,适用于 pc 电源、太阳能、服务器和电信等高功率开关电源应用。现有的高电压技术 600V cool mos G7 superjunction ( sj )的优势使凝集与创新的顶部冷却概念相结合、为高电流硬切换拓扑(如 pfc )提供系统解决方案、为 llc 拓扑提供高端效率解决方案。

提供杰出的 fom rds (接通) x eoss 和 rds (接通) x

创新的顶部冷却概念

内置 4th 引脚 kelvin 源配置和低寄生源 电感

2 >> 、 000 次循环的 t15000 次循环能力、 符合 MSL1 标准、完全无铅

实现最高能效

板和半导体的热去耦可克服热问题 印刷电路板限制

寄生源电感降低、提高了 e 效率和易用性

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