Infineon , 2 N型沟道 双 增强型 功率晶体管, Vds=40 V, 20 A, TDSON, 表面安装, 8引脚, OptiMOS系列, IPG20N04S4L07AATMA1
- RS 库存编号:
- 220-7422
- 制造商零件编号:
- IPG20N04S4L07AATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 220-7422
- 制造商零件编号:
- IPG20N04S4L07AATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | 功率晶体管 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 20A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | TDSON | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 7.2mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 16 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 39nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 65W | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 晶体管配置 | 双 | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 1mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 长度 | 5.15mm | |
| 宽度 | 5.9 mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 功率晶体管 | ||
最大连续漏极电流 Id 20A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 TDSON | ||
系列 OptiMOS | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 7.2mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 16 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 39nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 65W | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
晶体管配置 双 | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 1mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
长度 5.15mm | ||
宽度 5.9 mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon 20V 的一系列 40V － 0.6mΩ n 通道汽车认可功率 mosfet ，采用最新的最佳 mosfet 技术，并采用多种封装，可满足各种需求，并实现低至 Optimos5 40V μ m 的 rds （接通）。新的最佳 mosfet 技术可实现低传导损耗 （同类最佳的 rdson 性能）、低切换损耗（改进的切换行为）、改进的二极管恢复和 emc 行为。此 mosfet 技术采用最先进的创新封装、以实现最佳的产品性能和质量。为了实现终极设计灵活性、汽车合格的高电阻器提供各种封装、以满足各种需求。Infineon 为客户提供了电流容量、切换行为、可靠性、封装尺寸和整体质量等方面的稳定改进。新开发的集成半桥是一种创新且经济高效的封装解决方案、适用于电动机驱动和主体应用。
双 n 通道逻辑电平 - 增强模式
MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作温度