Infineon N沟道增强型MOSFET 晶体管 + 二极管, Vds=650 V, 97 A, ThinkPAK 8 x 8, 贴片安装, 5引脚, CoolMOS™系列
- RS 库存编号:
- 220-7430
- 制造商零件编号:
- IPL60R095CFD7AUMA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 220-7430
- 制造商零件编号:
- IPL60R095CFD7AUMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
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产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 97 A | |
| 最大漏源电压 | 650 V | |
| 系列 | CoolMOS™ | |
| 封装类型 | ThinkPAK 8 x 8 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 最大漏源电阻值 | 0.065 o | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4.5V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 97 A | ||
最大漏源电压 650 V | ||
系列 CoolMOS™ | ||
封装类型 ThinkPAK 8 x 8 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 5 | ||
最大漏源电阻值 0.065 o | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4.5V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
the Infineon 600V cool mos CFD7 是英飞凌公司最新的高压超级结 mosfet 技术，集成了快速主体二极管，从而完善了 cool mos 7 系列。cool mos CFD7 具有更低的栅极电荷 (qg) 、更好的关闭行为和比竞争产品低 69% 的反向恢复电荷 (qrr) 以及市场上最低的反向恢复时间 (trr) 。
超快主体二极管
同类杰出的反向恢复充电（ qrr ）
改进了反向二极管 dv/dt 和 dif/dt 坚固性
最低 fom rds （接通） x qg 和 eoss
同类杰出的 rds （接通） / 封装
同类杰出的硬换向坚固性
用于谐振拓扑的最高可靠性
效率最高、卓越的易用性 / 性能权衡
实现更高的功率密度解决方案
同类杰出的反向恢复充电（ qrr ）
改进了反向二极管 dv/dt 和 dif/dt 坚固性
最低 fom rds （接通） x qg 和 eoss
同类杰出的 rds （接通） / 封装
同类杰出的硬换向坚固性
用于谐振拓扑的最高可靠性
效率最高、卓越的易用性 / 性能权衡
实现更高的功率密度解决方案