Infineon N型沟道 增强型 MOSFET & 二极管, Vds=650 V, 97 A, VSON, 表面安装, 5引脚, IPL60R095CFD7AUMA1, CoolMOS系列
- RS 库存编号:
- 220-7431P
- 制造商零件编号:
- IPL60R095CFD7AUMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计 750 件 (以卷装提供)*
¥22,046.25
(不含税)
¥24,912.00
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年5月11日 发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 750 - 1498 | RMB29.395 |
| 1500 + | RMB28.52 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 220-7431P
- 制造商零件编号:
- IPL60R095CFD7AUMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET & 二极管 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 97A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | VSON | |
| 系列 | CoolMOS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 65mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 51nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 147W | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 宽度 | 8.1 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 8.1mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET & 二极管 | ||
最大连续漏极电流 Id 97A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 VSON | ||
系列 CoolMOS | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 5 | ||
最大漏源电阻 Rd 65mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -40°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 51nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 147W | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 1.1mm | ||
宽度 8.1 mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 8.1mm | ||
汽车标准 否 | ||
the Infineon 600V cool mos CFD7 是英飞凌公司最新的高压超级结 mosfet 技术,集成了快速主体二极管,从而完善了 cool mos 7 系列。cool mos CFD7 具有更低的栅极电荷 (qg) 、更好的关闭行为和比竞争产品低 69% 的反向恢复电荷 (qrr) 以及市场上最低的反向恢复时间 (trr) 。
超快主体二极管
同类杰出的反向恢复充电( qrr )
改进了反向二极管 dv/dt 和 dif/dt 坚固性
最低 fom rds (接通) x qg 和 eoss
同类杰出的 rds (接通) / 封装
同类杰出的硬换向坚固性
用于谐振拓扑的最高可靠性
效率最高、卓越的易用性 / 性能权衡
实现更高的功率密度解决方案
