Infineon N型沟道 增强型 MOSFET & 二极管, Vds=650 V, 100 A, VSON, 表面安装, 5引脚, IPL60R105P7AUMA1, CoolMOS P7系列

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RS 库存编号:
220-7433
制造商零件编号:
IPL60R105P7AUMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET & 二极管

最大连续漏极电流 Id

100A

最大漏源电压 Vd

650V

包装类型

VSON

系列

CoolMOS P7

安装类型

表面

引脚数目

5

最大漏源电阻 Rd

105mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

137W

正向电压 Vf

0.9V

最低工作温度

-40°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

45nC

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

长度

8.1mm

宽度

8.1 mm

高度

1.1mm

汽车标准

the Infineon 600V cool mos P7 超接点( sj ) mosfet 是 600V cool mos P6 系列的后继产品。它继续在设计过程中兼顾对高效率的需求与易用性。cool mos 7th 系列平台的杰出 r onxa 和固有的低栅极电荷( q g )可确保其高效率。

600V P7 可实现出色的 fom rds (接通) xeoss 和 rds (接通) xq

≥ 2kV 的 esd 坚固性( hbm 2 类)

集成栅极电阻器电阻器

坚固的体二极管

广泛的产品组合、采用通孔和表面安装封装

提供标准级和工业级部件

出色的 rds (接通) xqg / rds (接通) xeoss 可实现更高的效率

通过阻止 esd 故障的发生、在制造环境中易于使用

集成式设计可降低 mosfet 振荡灵敏度

mosfet 适用于硬开关和谐振开关拓扑 例如 pfc 和 llc

在所见车身二极管的硬换向期间具有出色的坚固 在 llc 拓扑中

适用于各种终端应用和输出 权力

提供适合消费和工业应用的部件