Infineon N型沟道 增强型 MOSFET & 二极管, Vds=650 V, 30 A, ThinPAK, 表面安装, 5引脚, IPL60R360P6SATMA1, CoolMOS P6系列
- RS 库存编号:
- 220-7435P
- 制造商零件编号:
- IPL60R360P6SATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- 制造商零件编号:
- IPL60R360P6SATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET & 二极管 | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 30A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | ThinPAK | |
| 系列 | CoolMOS P6 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 360mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 22nC | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 最大功耗 Pd | 89.3W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 宽度 | 6.1 mm | |
| 长度 | 5.1mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET & 二极管 | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 30A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 ThinPAK | ||
系列 CoolMOS P6 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 5 | ||
最大漏源电阻 Rd 360mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 22nC | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
最大功耗 Pd 89.3W | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 1.1mm | ||
宽度 6.1 mm | ||
长度 5.1mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 全新 cool mos 薄 pak 5x6 是无引线 smd 封装、专门设计用于高电压功率的高电压功率半导体。此新封装尺寸非常小、为 5x6mm 2 、且为非常薄的外形、高度仅为 1mm 。这种显著减小的封装尺寸结合其基准低寄生电感、可用作新的有效方法、以降低功率密度驱动设计中的系统解决方案尺寸。薄型 pak 5x6 封装的特点是具有非常低的源电感 1.6 nh 、以及与 dpak 类似的热性能。因此、该封装可实现更快、更高效的功率半导体开关、且在开关行为和 emi 方面更易于处理。
由于 fomrdson*qg 和 eoss 极低的损失
非常高的换向坚固性
易于使用 / 驱动
无铅、无卤模制化合物
符合 dec 标准、适用于工业级应用