Infineon N型沟道 增强型 MOSFET & 二极管, Vds=650 V, 16 A, SOT-223, 表面安装, 3引脚, CoolMOS P7系列
- RS 库存编号:
- 220-7437P
- 制造商零件编号:
- IPN60R600P7SATMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计 760 件 (以卷装提供)*
¥3,376.68
(不含税)
¥3,815.96
(含税)
有库存
- 1,940 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 760 - 1480 | RMB4.443 |
| 1500 + | RMB4.31 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 220-7437P
- 制造商零件编号:
- IPN60R600P7SATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET & 二极管 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 16A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | SOT-223 | |
| 系列 | CoolMOS P7 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 600mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 9nC | |
| 最大功耗 Pd | 7W | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 6.7mm | |
| 宽度 | 3.7 mm | |
| 高度 | 1.8mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET & 二极管 | ||
最大连续漏极电流 Id 16A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 SOT-223 | ||
系列 CoolMOS P7 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 600mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 9nC | ||
最大功耗 Pd 7W | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
标准/认证 No | ||
长度 6.7mm | ||
宽度 3.7 mm | ||
高度 1.8mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon P7 超结（ sj ） mosfet 设计出色的性能和易用性、可改善外形和价格竞争力、从而应对低功率开关电源市场的典型挑战。这款采用了此种方法的、具有成本效益的一对一嵌入式 dak 替代产品、还可在某些设计中减少印迹。它可放置在典型的 dak 印迹上、并显示可比较的热性能。这种组合使 P7 它在型式、采用型、为其目标应用提供了完美的安装。700V 和 800V cool mos P7 经优化可用于回飞拓扑。600V cool mos P7 sj mosfet 适用于硬切换拓扑（ fly back 、 pfc 和 llc ）和开关拓扑。
易于使用、通过低振铃趋势进行快速设计 和用法
跨 pfc 和 pwm 级
由于低切换和传导、简化了热管理
损失
通过使用产品 swith 实现更高的功率密度解决方案
>采用 2kVESD 、体积更小、制造质量更高
保护
适用于各种应用和功率范围