Infineon N型沟道 增强型 MOSFET & 二极管, Vds=650 V, 6.8 A, TO-251, 表面安装, 3引脚, IPS60R1K0CEAKMA1, CoolMOS系列
- RS 库存编号:
- 220-7439
- 制造商零件编号:
- IPS60R1K0CEAKMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 20 件）*
¥91.12
(不含税)
¥102.96
(含税)
有库存
- 1,500 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 - 20 | RMB4.556 | RMB91.12 |
| 40 + | RMB4.51 | RMB90.20 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 220-7439
- 制造商零件编号:
- IPS60R1K0CEAKMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET & 二极管 | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 6.8A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 系列 | CoolMOS | |
| 包装类型 | TO-251 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 13nC | |
| 最大功耗 Pd | 61W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 6.22mm | |
| 宽度 | 2.4 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET & 二极管 | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 6.8A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
系列 CoolMOS | ||
包装类型 TO-251 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 1Ω | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 13nC | ||
最大功耗 Pd 61W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 6.73mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 6.22mm | ||
宽度 2.4 mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon cool mos ce 适用于硬切换和软切换应用、作为现代超级接点、它可提供低传导和切换损耗、从而提高效率并最终降低功耗。600V 、 650V 和 700V cool mos ce 结合了最佳 r ds （ on ）和封装、适用于移动电话和平板电脑的低功率充电器。
缩小典型和最大 r ds （ on ）之间的边距
减少输出电容（ e oss ）中存储的能量
坚固的主体二极管、可减少反向恢复电荷 （ q rr ）
优化的集成 r g
低传导损耗
低切换损耗
适用于硬切换和软切换
易于控制的切换行为
提高效率、从而降低功耗
减少设计工作量
易于使用