Infineon N型沟道 增强型 MOSFET & 二极管, Vds=700 V, 9.4 A, TO-251, 通孔安装, 3引脚, CoolMOS P7系列
- RS 库存编号:
- 220-7443P
- 制造商零件编号:
- IPSA70R1K2P7SAKMA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|
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- 220-7443P
- 制造商零件编号:
- IPSA70R1K2P7SAKMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET & 二极管 | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 9.4A | |
| 最大漏源电压 Vd | 700V | |
| 包装类型 | TO-251 | |
| 系列 | CoolMOS P7 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.2Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最大功耗 Pd | 25W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 4.8nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 16 V | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 2.38 mm | |
| 高度 | 6.1mm | |
| 长度 | 6.6mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET & 二极管 | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 9.4A | ||
最大漏源电压 Vd 700V | ||
包装类型 TO-251 | ||
系列 CoolMOS P7 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.2Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最大功耗 Pd 25W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 4.8nC | ||
最大栅源电压 Vgs 16 V | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 2.38 mm | ||
高度 6.1mm | ||
长度 6.6mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
the Infineon 700V cool mos P7 超级结点 mosfet 系列可满足当今特别是未来回弹拓扑的发展趋势。与当今使用的超级连接技术相比、它可提供基本的性能增益、从而解决低功率 smp 市场的问题、例如手机充电器或笔记本电脑适配器。700V cool mos P7 将客户的反馈与超过 20 年的超结 mosfet 经验相结合，可在以下方面最适合目标应用：
极低的 fom r ds （ on ） x e oss; 降低 q g 、 e 和 e
高性能技术
低切换损耗（ e oss ）
高效
极佳的热行为
允许高速切换
集成保护齐纳二极管
优化的 3V v （ gs ）、具有非常窄的容差 ±0.5 v
精细分级产品组合
具有成本竞争力的技术
效率增益高达 2.4% 、设备温度降低 12K 与 C6 技术相比
在更高切换速度下进一步提高效率
支持更少的磁性尺寸、 bom 成本更低
坚固的 esd 等级高达 hbm 2 级
易于驱动和设计
支持较小外形和高功率密度设计
选择最佳配件产品的理想选择