Infineon N型沟道 增强型 MOSFET & 二极管, Vds=950 V, 4 A, TO-251, 通孔安装, 3引脚, CoolMOS P7系列
- RS 库存编号:
- 220-7451
- 制造商零件编号:
- IPU95R2K0P7AKMA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 220-7451
- 制造商零件编号:
- IPU95R2K0P7AKMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET & 二极管 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 4A | |
| 最大漏源电压 Vd | 950V | |
| 包装类型 | TO-251 | |
| 系列 | CoolMOS P7 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 2Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 最大功耗 Pd | 37W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 10nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 2.41 mm | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 高度 | 6.22mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET & 二极管 | ||
最大连续漏极电流 Id 4A | ||
最大漏源电压 Vd 950V | ||
包装类型 TO-251 | ||
系列 CoolMOS P7 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 2Ω | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
最大功耗 Pd 37W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 10nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
宽度 2.41 mm | ||
长度 6.73mm | ||
高度 6.22mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon IPU95R2K0P7 旨在满足高电压功率高的功率需求、最新的 950V cool mos P7 技术主要用于低功率的开关电源市场。它比其前代产品 900V cool mos C3 提供 50V 以上的阻塞电压、 950V cool mos P7 系列在效率、热行为和易用性方面表现卓越的性能。与所有其他 P7 系列成员一样、 950V cool mos P7 系列随附集成齐纳二极管 esd 保护。集成二极管显著提高了 esd 稳定性、从而减少了 esd 相关的屈服损耗并达到了卓越的易用性水平。cool mos P7 开发具有杰出的 3V vgs （ the ）和仅 ± 0.5v 的窄容差、使其易于驱动和设计。
同类杰出的 fom rds （接通） eoss; 减少了 qg 、 ciss 和 coss.
450 mΩ μ a 的杰出 dak rds （接通
杰出的 3V vgs （ the ±
集成齐纳二极管 esd 保护、高达 2 类（ hbm ）
杰出的质量和