Infineon N型沟道 增强型 MOSFET & 二极管, Vds=650 V, 109 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, IPW60R099P6XKSA1, CoolMOS P6系列

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220-7457
制造商零件编号:
IPW60R099P6XKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET & 二极管

最大连续漏极电流 Id

109A

最大漏源电压 Vd

650V

系列

CoolMOS P6

包装类型

TO-247

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

99mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

0.9V

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

278W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

70nC

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

长度

16.13mm

高度

21.1mm

标准/认证

No

宽度

5.21 mm

汽车标准

英飞凌的 cool mos P6 超级结 mosfet 系列设计用于实现更高的系统效率、同时易于设计。 cool mos P6 消除了专注于提供终极性能的技术与专注于易用性的技术之间的差距。

降低栅极电荷( q g )

更高的 v

良好的主体二极管坚固性

优化的集成 r g

dv/dt 从 50V 提高到 nds/ ns

超酷 mos ™质量,具有 12 年以上的制造经验 超级连接技术

提高效率、尤其是在轻负载条件下

由于更早的关闭、在软切换应用中效率更高

适用于硬切换和软切换拓扑

优化了效率和易用性与良好之间的平衡 切换行为的可控性

高坚固性和更高的效率

卓越的质量和可靠性

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