Infineon N型沟道 增强型 MOSFET & 二极管, Vds=650 V, 99.6 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, CoolMOS系列

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包装方式:
RS 库存编号:
220-7462P
制造商零件编号:
IPW65R110CFDAFKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET & 二极管

最大连续漏极电流 Id

99.6A

最大漏源电压 Vd

650V

系列

CoolMOS

包装类型

TO-247

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

110mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

118nC

最大功耗 Pd

277.8W

最低工作温度

-40°C

最大栅源电压 Vgs

20 V

正向电压 Vf

0.9V

最高工作温度

150°C

宽度

5.21 mm

高度

21.1mm

长度

16.13mm

标准/认证

No

汽车标准

the Infineon 650V cool mos cfda 超级接点( sj ) mosfet 是 the 英飞凌公司第二代市场领先的汽车高压 cool mos 功率 mosfet 。除了汽车行业所需的高质量和可靠性的闻名属性外、 650V cool mos cfda 系列还提供集成快速主体二极管。

首款 650V 汽车认证技术、带集成快速主体二极管 在市场上

硬换向期间有限电压过冲–自限制 di/dt 和 dv/dt

低栅极电荷值 q g

车身二极管和上的重复换向时 q rr 低 低 q oss

减少接通和延时时间

由于击穿电压较高、安全裕度增加

减少 emi 外观、易于设计

更好的轻负载效率

降低切换损耗

可提供更高的切换频率和 / 或更高的占空比

高质量和高可靠性