Infineon N型沟道 增强型 MOSFET & 二极管, Vds=40 V, 40 A, TSDSON, 表面安装, 8引脚, OptiMOS系列

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RS 库存编号:
220-7463
制造商零件编号:
IPZ40N04S5L4R8ATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET & 二极管

最大连续漏极电流 Id

40A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

TSDSON

系列

OptiMOS

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

4.8mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

16 V

最大功耗 Pd

48W

正向电压 Vf

1.1V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

22nC

最高工作温度

175°C

宽度

3.3 mm

长度

3.3mm

标准/认证

RoHS

高度

1.05mm

汽车标准

AEC-Q101

Infineon 20V 的一系列 40V - 0.6mΩ n 通道汽车认可功率 mosfet ,采用最新的最佳 mosfet 技术,并采用多种封装,可满足各种需求,并实现低至 Optimos5 40V μ m 的 rds (接通)。新的最佳 mosfet 技术可实现低传导损耗 (同类最佳的 rdson 性能)、低切换损耗(改进的切换行为)、改进的二极管恢复和 emc 行为。此 mosfet 技术采用最先进的创新封装、以实现最佳的产品性能和质量。为了实现终极设计灵活性、汽车合格的高电阻器提供各种封装、以满足各种需求。Infineon 为客户提供了电流容量、切换行为、可靠性、封装尺寸和整体质量等方面的稳定改进。新开发的集成半桥是一种创新且经济高效的封装解决方案、适用于电动机驱动和主体应用。

用于汽车应用的功率 mosfet

n 通道 - 增强模式 - 逻辑电平

MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接

175°C 工作温度