Infineon N沟道增强型MOSFET 晶体管 + 二极管, Vds=40 V, 40 A, PQFN 3 x 3, 贴片安装, 8引脚, OptiMOS™系列
- RS 库存编号:
- 220-7464P
- 制造商零件编号:
- IPZ40N04S5L4R8ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|
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- 220-7464P
- 制造商零件编号:
- IPZ40N04S5L4R8ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
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产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 40 A | |
| 最大漏源电压 | 40 V | |
| 封装类型 | PQFN 3 x 3 | |
| 系列 | OptiMOS™ | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻值 | 0.0048 o | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 16V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 40 A | ||
最大漏源电压 40 V | ||
封装类型 PQFN 3 x 3 | ||
系列 OptiMOS™ | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻值 0.0048 o | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 16V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
Infineon 20V 的一系列 40V － 0.6mΩ n 通道汽车认可功率 mosfet ，采用最新的最佳 mosfet 技术，并采用多种封装，可满足各种需求，并实现低至 Optimos5 40V μ m 的 rds （接通）。新的最佳 mosfet 技术可实现低传导损耗 （同类最佳的 rdson 性能）、低切换损耗（改进的切换行为）、改进的二极管恢复和 emc 行为。此 mosfet 技术采用最先进的创新封装、以实现最佳的产品性能和质量。为了实现终极设计灵活性、汽车合格的高电阻器提供各种封装、以满足各种需求。Infineon 为客户提供了电流容量、切换行为、可靠性、封装尺寸和整体质量等方面的稳定改进。新开发的集成半桥是一种创新且经济高效的封装解决方案、适用于电动机驱动和主体应用。
用于汽车应用的功率 mosfet
n 通道 - 增强模式 - 逻辑电平
MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作温度
n 通道 - 增强模式 - 逻辑电平
MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作温度