Infineon N型沟道 增强型 MOSFET & 二极管, Vds=100 V, 5.4 A, SO-8, 表面安装, 8引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 220-7479P
- 制造商零件编号:
- IRF7490TRPBF
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计 1005 件 (以卷装提供)*
¥5,698.35
(不含税)
¥6,442.05
(含税)
有库存
- 11,925 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1005 - 1980 | RMB5.67 |
| 1995 + | RMB5.50 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 220-7479P
- 制造商零件编号:
- IRF7490TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET & 二极管 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 5.4A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | SO-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 39mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 2.5W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 37nC | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 4 mm | |
| 高度 | 1.75mm | |
| 长度 | 5mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| Distrelec Product Id | 304-39-417 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET & 二极管 | ||
最大连续漏极电流 Id 5.4A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 SO-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 39mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 2.5W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 37nC | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
宽度 4 mm | ||
高度 1.75mm | ||
长度 5mm | ||
汽车标准 否 | ||
Distrelec Product Id 304-39-417 | ||
为了提高效率、功率密度和成本效益、开发了英飞凌公司的最佳 mos n 通道功率式功率半导体器件。专为高性能应用而设计、并针对高切换频率进行了优化、因此、这些产品具有业内最佳的品质。现在、作为强大的 irfet 的补充、该产品组合提供了一个真正强大的组合。得益于强大的 irfet 功率极高的器件和出色的性价比以及杰出的最佳的技术。两个产品系列都能满足高品质标准和性能要求。该接合产品组合涵盖 12V 至 300V 的电压、可满足从低到高切换频率的各种需求、如开关电源、电池供电应用、电动机控制和驱动器、变频器和计算。
宽 soa 的平面单元结构
针对分销合作伙伴提供的最广泛可用性进行了优化
产品资格符合 dec 标准
硅经优化用于切换低于 <100KHz 的应用
工业标准表面安装电源封装
能够进行波焊