Infineon N型沟道 增强型 MOSFET & 二极管, Vds=30 V, 12 A, PQFN, 表面安装, 8引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 220-7480
- 制造商零件编号:
- IRFH3707TRPBF
- 制造商:
- Infineon
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- 220-7480
- 制造商零件编号:
- IRFH3707TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET & 二极管 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 12A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | PQFN | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 12.4mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 2.8W | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 5.4nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 3mm | |
| 宽度 | 3 mm | |
| 高度 | 1mm | |
| 标准/认证 | Lead-Free, RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET & 二极管 | ||
最大连续漏极电流 Id 12A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 PQFN | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 12.4mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 2.8W | ||
正向电压 Vf 1V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 5.4nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 3mm | ||
宽度 3 mm | ||
高度 1mm | ||
标准/认证 Lead-Free, RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 强电源 mosfet 系列经优化可用于低 rds （接通）和高电流容量。该设备特别适用于需要性能和坚固性的低频应用。全面的产品组合可用于各种应用、包括直流电动机、电池管理系统、变频器和直流 - 直流转换器。
针对分销合作伙伴提供的最广泛可用性进行了优化
产品资格符合 dec 标准
工业标准表面安装封装
高 rds （接通） SuperSO8 封装的潜在替代品
分销合作伙伴提供广泛的可用性
行业标准资格级别
标准引脚输出允许直接更换
小型设计