Infineon N型沟道 增强型 MOSFET & 二极管, Vds=30 V, 25 A, PQFN, 表面安装, 8引脚, IRFH7932TRPBF, HEXFET系列

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RS 库存编号:
220-7486
制造商零件编号:
IRFH7932TRPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET & 二极管

最大连续漏极电流 Id

25A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

PQFN

系列

HEXFET

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

3.3mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

34nC

正向电压 Vf

1V

最大功耗 Pd

3.4W

最大栅源电压 Vgs

20 V

最高工作温度

150°C

长度

6.1mm

标准/认证

RoHS

宽度

5.1 mm

高度

1mm

汽车标准

Infineon n 沟道功率高的功率为提高效率、功率密度和成本效益而开发。专为高性能应用而设计、并针对高切换频率进行了优化、因此、这些产品具有业内最佳的品质。现在、作为强大的 irfet 的补充、该产品组合提供了一个真正强大的组合。得益于强大的 irfet 功率极高的器件和出色的性价比以及杰出的最佳的技术。两个产品系列都能满足高品质标准和性能要求。该接合产品组合涵盖 12V 至 300V 的电压、可满足从低到高切换频率的各种需求、如开关电源、电池供电应用、电动机控制和驱动器、变频器和计算。

在 4.5 伏 vgs 下、极低 rds (接通)

低栅极电荷

完全雪崩电压和

电流

经 100% rg 测试

无铅(最高 260°c 回流)

符合 rohs 标准(无卤)

低热阻

大源引线、用于更可靠的焊接

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。