Infineon P型沟道 增强型 MOSFET & 二极管, Vds=20 V, 5.6 A, TO-263, 表面安装, 2引脚, IRLMS6802TRPBF, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 220-7501
- 制造商零件编号:
- IRLMS6802TRPBF
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 220-7501
- 制造商零件编号:
- IRLMS6802TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET & 二极管 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 5.6A | |
| 最大漏源电压 Vd | 20V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 2 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 50mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 16nC | |
| 最大功耗 Pd | 2W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 3mm | |
| 宽度 | 1 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 3mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET & 二极管 | ||
最大连续漏极电流 Id 5.6A | ||
最大漏源电压 Vd 20V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 2 | ||
最大漏源电阻 Rd 50mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 16nC | ||
最大功耗 Pd 2W | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 3mm | ||
宽度 1 mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 3mm | ||
汽车标准 否 | ||
国际整流器的 Infineon p 通道 Advanced 采用先进的处理技术，可在每个硅片区域实现极低的导通电阻。 International Rectifier ，也可在每个硅此优势为设计人员提供及其高效地设备，用于电池和负载管理应用。Micro6 封装及其自定义引线框可产生一个采用 rds （接通）的 hex场 ® 功率 mosfet ，比类似尺寸的数目的数目减少 60% 。此封装特别适用于印刷电路板空间要求严格的应用。独特的热设计和 rds （接通）减少使电流处理比数量上的数量增加近 300% 。
超低接通电阻
P 沟道 MOSFET
表面安装
提供带装和卷装
无铅