onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 169 A, TO-263-7, 表面安装, 7引脚, NTBGS2D5N06C, NTBGS2D系列

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221-6702P
制造商零件编号:
NTBGS2D5N06C
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

169A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

TO-263-7

系列

NTBGS2D

安装类型

表面

引脚数目

7

最大漏源电阻 Rd

2.5mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

136W

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

±20 V

正向电压 Vf

1.2V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

45.4nC

最高工作温度

175°C

宽度

4.7 mm

高度

15.7mm

标准/认证

No

长度

10.2mm

汽车标准

on ON Semiconductor 60V 功率 mosfet−169 a 的漏极电流、具有单 n μ a 通道。它具有更低的切换噪声 /emi 、有效减少传导损耗。

低 rds (接通)可有效减少传导

低电容、有效减少驱动器