onsemi N沟道增强型MOSFET, Vds=650 V, Id=49 A, 8针, H-PSOF, NTBL050N65S系列

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包装方式：
RS 库存编号:
221-6706
制造商零件编号:
NTBL050N65S3H
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

49A

最大漏源电压 Vd

650V

包装类型

H-PSOF

系列

NTBL050N65S

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

50mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.2V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

98nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

305W

最大栅源电压 Vgs

30V

最高工作温度

175°C

高度

11.47mm

标准/认证

No

宽度

2.4mm

长度

10.8mm

汽车标准

否

ON Semiconductor iii mosfet−高电压超级−² c 结点（ sj ） mosfet 系列，利用电荷平衡技术，可实现卓越的低接通电阻和更低的栅极电荷性能。此先进 Advanced 技术可有效减少传导损耗、提供卓越的切换性能和耐受极端 dv/dt 速率。

超低栅极电荷

低有效输出电容 909 pve.

通过 100% 雪崩测试

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