onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 75 A, TO-247, 通孔安装, 4引脚, NTH4LN019N65S3H, NTH4LN019N系列
- RS 库存编号:
- 221-6708
- 制造商零件编号:
- NTH4LN019N65S3H
- 制造商:
- onsemi
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- 221-6708
- 制造商零件编号:
- NTH4LN019N65S3H
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 75A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 系列 | NTH4LN019N | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 19.3mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 282nC | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大功耗 Pd | 625W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 15.8mm | |
| 标准/认证 | These Devices are Pb-Free and are RoHS | |
| 宽度 | 5.2 mm | |
| 高度 | 22.74mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 75A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 TO-247 | ||
系列 NTH4LN019N | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 19.3mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 282nC | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大功耗 Pd 625W | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 15.8mm | ||
标准/认证 These Devices are Pb-Free and are RoHS | ||
宽度 5.2 mm | ||
高度 22.74mm | ||
汽车标准 否 | ||
ON Semiconductor iii mosfet−高电压超级−² c 结点（ sj ） mosfet 系列，利用电荷平衡技术，可实现卓越的低接通电阻和更低的栅极电荷性能。此先进 Advanced 技术可有效减少传导损耗、提供卓越的切换性能和耐受极端 dv/dt 速率。
超低栅极电荷
低有效输出电容 2495 pve.
通过 100% 雪崩测试