onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 24 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, NTHL125N系列
- RS Stock No.:
- 221-6718P
- Mfr. Part No.:
- NTHL125N65S3H
- Brand:
- onsemi
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Specifications
Technical Reference
Legislation and Compliance
Product Details
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 24A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 系列 | NTHL125N | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 125mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 44nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大功耗 Pd | 171W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 41.34mm | |
| 标准/认证 | RoHS, Pb-Free | |
| 长度 | 15.87mm | |
| 宽度 | 4.8 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| Select all | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 24A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
系列 NTHL125N | ||
包装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 125mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 44nC | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大功耗 Pd 171W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 41.34mm | ||
标准/认证 RoHS, Pb-Free | ||
长度 15.87mm | ||
宽度 4.8 mm | ||
汽车标准 否 | ||
ON Semiconductor iii mosfet−高电压超级−² c 结点（ sj ） mosfet 系列，利用电荷平衡技术，可实现卓越的低接通电阻和更低的栅极电荷性能。此先进 Advanced 技术可有效减少传导损耗、提供卓越的切换性能和耐受极端 dv/dt 速率。
超低栅极电荷
低有效输出电容 379 pve.
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