onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 40 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, NTP067N系列
- RS 库存编号:
- 221-6742P
- 制造商零件编号:
- NTP067N65S3H
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 200 - 398 | RMB35.10 |
| 400 + | RMB34.395 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 221-6742P
- 制造商零件编号:
- NTP067N65S3H
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 40 A | |
| 最大漏源电压 | 650 V | |
| 系列 | NTP067N | |
| 封装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 0.067 Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 40 A | ||
最大漏源电压 650 V | ||
系列 NTP067N | ||
封装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 0.067 Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
ON Semiconductor iii mosfet−高电压超级−² c 结点（ sj ） mosfet 系列，利用电荷平衡技术，可实现卓越的低接通电阻和更低的栅极电荷性能。此先进 Advanced 技术可有效减少传导损耗、提供卓越的切换性能和耐受极端 dv/dt 速率。
超低栅极电荷
低有效输出电容 691 pve.
通过 100% 雪崩测试
低有效输出电容 691 pve.
通过 100% 雪崩测试