DiodesZetex N型沟道 双 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 261 mA, US, 表面安装, 6引脚, DMN系列
- RS 库存编号:
- 222-2843
- 制造商零件编号:
- DMN62D4LDW-7
- 制造商:
- DiodesZetex
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- RS 库存编号:
- 222-2843
- 制造商零件编号:
- DMN62D4LDW-7
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 261mA | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | US | |
| 系列 | DMN | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 0.8V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 0.45W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 0.51nC | |
| 晶体管配置 | 双 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 261mA | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 US | ||
系列 DMN | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻 Rd 3Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 0.8V | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 0.45W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 0.51nC | ||
晶体管配置 双 | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100 | ||
DiodesZetex 双 n 通道增强模式 mosfet 设计用于有效减少通态电阻（ rds （接通）
双 N 沟道 MOSFET
低接通电阻
低栅极阈值电压
低输入电容
快速切换速度