DiodesZetex N型沟道 双 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 21.2 A, PowerDI3333-8, 表面安装, 8引脚, DMT系列, DMT4015LDV-7
- RS 库存编号:
- 222-2875
- 制造商零件编号:
- DMT4015LDV-7
- 制造商:
- DiodesZetex
可享批量折扣
小计（1 包，共 25 件）*
¥121.30
(不含税)
¥137.075
(含税)
有库存
- 1,800 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 475 | RMB4.852 | RMB121.30 |
| 500 - 975 | RMB4.706 | RMB117.65 |
| 1000 + | RMB4.566 | RMB114.15 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 222-2875
- 制造商零件编号:
- DMT4015LDV-7
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 21.2A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 系列 | DMT | |
| 包装类型 | PowerDI3333-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.02Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 8.6nC | |
| 最大功耗 Pd | 2W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 16 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 0.7V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 晶体管配置 | 双 | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 21.2A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
系列 DMT | ||
包装类型 PowerDI3333-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.02Ω | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 8.6nC | ||
最大功耗 Pd 2W | ||
最大栅源电压 Vgs 16 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 0.7V | ||
最高工作温度 150°C | ||
晶体管配置 双 | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200 | ||
DiodesZetex n 通道增强模式 mosfet 设计用于有效减少通态电阻（ rds （接通）
低接通电阻
低输入电容
快速切换速度
低输入/输出泄漏
ESD 保护门