DiodesZetex N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 16.1 A, VDFN, 表面安装, 8引脚, DMT64M8LCG-7, DMT系列
- RS 库存编号:
- 222-2881
- 制造商零件编号:
- DMT64M8LCG-7
- 制造商:
- DiodesZetex
可享批量折扣
小计（1 包，共 10 件）*
¥60.53
(不含税)
¥68.40
(含税)
有库存
- 1,620 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 490 | RMB6.053 | RMB60.53 |
| 500 - 990 | RMB5.872 | RMB58.72 |
| 1000 + | RMB5.695 | RMB56.95 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 222-2881
- 制造商零件编号:
- DMT64M8LCG-7
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 16.1A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | DMT | |
| 包装类型 | VDFN | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 4mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大功耗 Pd | 2.16W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 47.5nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 10 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 0.8 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 3.3mm | |
| 高度 | 3.3mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 16.1A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 DMT | ||
包装类型 VDFN | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 4mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大功耗 Pd 2.16W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 47.5nC | ||
最大栅源电压 Vgs 10 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 0.8 mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 3.3mm | ||
高度 3.3mm | ||
汽车标准 否 | ||
DiodesZetex n 通道增强模式 mosfet 设计用于有效减少 rds （接通此设备特别适用于笔记本电脑电池电源管理和负载开关。
高转换率
低 RDS （接通）- 可最大程度减少通态损耗
低输入电容
快速切换速度
ESD 保护门