DiodesZetex N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=75 A, 3针, TO-251, DMT系列

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RS 库存编号:
222-2882
制造商零件编号:
DMT69M5LH3
制造商:
DiodesZetex
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品牌

DiodesZetex

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

75A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

TO-251

系列

DMT

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

10mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

28.4nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

96W

正向电压 Vf

1.2V

最大栅源电压 Vgs

10V

最高工作温度

150°C

长度

6.6mm

高度

6.1mm

标准/认证

No

宽度

2.3mm

汽车标准

否

DiodesZetex n 通道增强模式 mosfet 设计用于有效减少通态电阻（ rds （接通）

低接通电阻

低输入电容

外形小巧、热效率高的封装可实现更高密度的终端产品

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