DiodesZetex N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 75 A, TO-251, 表面安装, 3引脚, DMT系列
- RS 库存编号:
- 222-2883P
- 制造商零件编号:
- DMT69M5LH3
- 制造商:
- DiodesZetex
可享批量折扣
小计 50 件 (按连续条带形式提供)*
¥188.60
(不含税)
¥213.10
(含税)
有库存
- 75 件将从其他地点发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 + | RMB3.772 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 222-2883P
- 制造商零件编号:
- DMT69M5LH3
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 75A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | DMT | |
| 包装类型 | TO-251 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 10mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 96W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 10 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 28.4nC | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 2.3 mm | |
| 高度 | 6.1mm | |
| 长度 | 6.6mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 75A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 DMT | ||
包装类型 TO-251 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 10mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 96W | ||
最大栅源电压 Vgs 10 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 28.4nC | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 2.3 mm | ||
高度 6.1mm | ||
长度 6.6mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
DiodesZetex n 通道增强模式 mosfet 设计用于有效减少通态电阻( rds (接通)
低接通电阻
低输入电容
外形小巧、热效率高的封装可实现更高密度的终端产品
