ROHM , 2 N型, P型沟道 双 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 9 A, SOP, 表面安装, 8引脚, SP8M4系列

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RS 库存编号:
222-4382P
制造商零件编号:
SP8M4HZGTB
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型, P型

最大连续漏极电流 Id

9A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

SOP

系列

SP8M4

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

28mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.2V

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

2W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

25nC

最高工作温度

150°C

晶体管配置

高度

1.75mm

标准/认证

No

长度

5mm

宽度

6 mm

每片芯片元件数目

2

汽车标准

AEC-Q101

ROHM N SP8M4HZG Q101具有 esd 保护二极管的 n 通道 + pch 30V 级晶体管包含在 SOP8 封装中。特别适用于开关应用。

低接通电阻

小型表面安装封装 (SOP8)

无铅引线电镀 ; 符合 RoHS

符合 AEC-Q101