ROHM , 1 N型, P型沟道 双 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 3 A, SOP, 表面安装, 8引脚, SP8M5系列, SP8M51HZGTB
- RS 库存编号:
- 222-4383
- 制造商零件编号:
- SP8M51HZGTB
- 制造商:
- ROHM
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | RMB5.40 | RMB13,500.00 |
| 5000 - 7500 | RMB5.238 | RMB13,095.00 |
| 10000 + | RMB5.133 | RMB12,832.50 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 222-4383
- 制造商零件编号:
- SP8M51HZGTB
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型, P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 3A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 系列 | SP8M5 | |
| 包装类型 | SOP | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 29mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 12.5nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 2W | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 晶体管配置 | 双 | |
| 高度 | 1.75mm | |
| 长度 | 5mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 6mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型, P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 3A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
系列 SP8M5 | ||
包装类型 SOP | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 29mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 12.5nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 2W | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 150°C | ||
晶体管配置 双 | ||
高度 1.75mm | ||
长度 5mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 6mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
ROHM SP8M51HZG N
低接通电阻
小型表面安装封装 (SOP8)
无铅引线电镀 ; 符合 RoHS
无卤素
SN100 镀层
符合 AEC-Q101