Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=80 V, Id=131 A, 8针, TDSON, OptiMOS-TM5系列
- RS 库存编号:
- 222-4618P
- 制造商零件编号:
- BSC037N08NS5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- BSC037N08NS5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 131A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 包装类型 | TDSON | |
| 系列 | OptiMOS-TM5 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3.7mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 46nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 114W | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最高工作温度 | +175°C | |
| 宽度 | 6.1mm | |
| 长度 | 5.35mm | |
| 高度 | 1.2mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 131A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
包装类型 TDSON | ||
系列 OptiMOS-TM5 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 3.7mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 46nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 114W | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最高工作温度 +175°C | ||
宽度 6.1mm | ||
长度 5.35mm | ||
高度 1.2mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon OptiMOS-TM5 系列 MOSFET,80V 最大漏源电压,131A 最大连续漏电流 - BSC037N08NS5ATMA1
这款 MOSFET 是一款高电流 N 沟道增强装置,专为表面贴装功率转换和开关任务而设计。它可在宽环境范围内工作,并可适应严苛的热条件,同时提供低压降和快速栅极驱动开关,适用于工业环境和电源环境。
特性和优点：
• 80V 漏电额定值,可实现稳健的高压开关
• 131A 连续漏极电流，适用于大电流处理
• 3.7mΩ 低 Rds(on)，可降低传导损耗
• 114W 功耗,可实现持久热负载
• 46nC 典型栅极电荷,支持快速开关控制
• 20V 栅极容差,支持灵活的驱动电压
• 131A 连续漏极电流，适用于大电流处理
• 3.7mΩ 低 Rds(on)，可降低传导损耗
• 114W 功耗,可实现持久热负载
• 46nC 典型栅极电荷,支持快速开关控制
• 20V 栅极容差,支持灵活的驱动电压
应用
• 适用于电源中的高功率直流-直流转换器
• 适用于服务器电源导轨中的同步整流
• 用于需要高连续电流的电机驱动级
• 可用于电信配电和UPS装置
• 适用于工业系统中的紧凑型表面贴装电源模块
• 适用于服务器电源导轨中的同步整流
• 用于需要高连续电流的电机驱动级
• 可用于电信配电和UPS装置
• 适用于工业系统中的紧凑型表面贴装电源模块
该设备在运行过程中可承受哪些极端温度?
其工作温度范围为-55°C至+175°C。
该封装为 PCB 布局提供多少电气连接?
该封装包含八个用于路由和热连接的引脚。
设计人员应期待哪些包装和安装形式?
它采用 TDSON 封装,适用于表面安装。
在典型条件下,传导过程中的正向电压是多少?
在传导条件下,正向电压为 1.1V。
哪种通道类型和模式决定了开关极性和操作行为?
它在增强模式下使用 N 通道结构,用于传统高侧或低侧开关。