Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=80 V, Id=74 A, 8针, TDSON, OptiMOS-TM5系列
- RS 库存编号:
- 222-4620P
- 制造商零件编号:
- BSC072N08NS5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- BSC072N08NS5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 74A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 包装类型 | TDSON | |
| 系列 | OptiMOS-TM5 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 7.2mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 24nC | |
| 最大功耗 Pd | 69W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 5.35mm | |
| 宽度 | 6.1mm | |
| 高度 | 1.2mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 74A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
包装类型 TDSON | ||
系列 OptiMOS-TM5 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 7.2mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 24nC | ||
最大功耗 Pd 69W | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 5.35mm | ||
宽度 6.1mm | ||
高度 1.2mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon OptiMOS-TM5 系列 MOSFET,80V 最大漏源电压,74A 最大连续漏电流 - BSC072N08NS5ATMA1
这款 MOSFET 是一款高电流 N 沟道半导体,专为严苛的热环境中的开关和功率转换而设计。它可在宽温度范围内工作,并可接受高达 20V 的栅极电压,因此适用于需要强大栅极驱动和大量连续排放电流的应用,同时作为紧凑型表面设备安装。
特性和优点：
• 80V 漏电额定值支持更高电压开关应用
• 74 A 连续电流支持大负载功率级
• 7.2 mΩ Rds(on),可减少运行过程中的导电损耗
• 69W 功耗,可实现持久热负载
• 24 nC 典型栅极电荷,可实现可预测的开关行为
• 8 针 TDSON 表面封装提供紧凑型 PCB 房地产节省
• 74 A 连续电流支持大负载功率级
• 7.2 mΩ Rds(on),可减少运行过程中的导电损耗
• 69W 功耗,可实现持久热负载
• 24 nC 典型栅极电荷,可实现可预测的开关行为
• 8 针 TDSON 表面封装提供紧凑型 PCB 房地产节省
应用
• 适用于高电流电机驱动级
• 适用于直流-直流转换器输出级
• 与服务器机架中的配电模块配合使用
• 可用于电池管理和充电系统
• 用于电源的同步整流
• 适用于直流-直流转换器输出级
• 与服务器机架中的配电模块配合使用
• 可用于电池管理和充电系统
• 用于电源的同步整流
它在运行过程中可承受哪些极端温度？
额定工作温度范围为-55°C至150°C。
开关控制允许的栅极驱动电压范围是多少?
栅极可驱动高达 20 V 以切换设备。
该封装如何支持自动化组装?
它采用 8 针 TDSON 封装,适用于表面安装。
栅极驱动器应考虑的典型开关电荷是多少?
设计人员在选择驱动器时应考虑典型总栅极电荷为 24 nC。