Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=60 A, 8针, TDSON, OptiMOS-TM5系列

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包装方式：
RS 库存编号:
222-4622P
制造商零件编号:
BSC098N10NS5ATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

60A

最大漏源电压 Vd

100V

系列

OptiMOS-TM5

包装类型

TDSON

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

9.8mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

22nC

最大功耗 Pd

69W

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

1.1V

最高工作温度

150°C

长度

5.35mm

宽度

6.1mm

标准/认证

No

高度

1.2mm

汽车标准

否

Infineon OptiMOS-TM5 系列 MOSFET,100V 最大漏源电压,60A 最大连续漏电流 - BSC098N10NS5ATMA1


这款 MOSFET 是一款高电压 N 沟道增强装置,专为在严苛温度范围内进行表面安装式电源开关而设计。它支持高连续电流,适用于需要在极端工业温度下高效传导和快速切换的应用。

特性和优点：


• 100V 额定值提供高电压开关能力
• 60A 连续漏电流,可承受重负载
• 9.8mΩ 低 RDS 可减少传导损耗
• 69W 功耗,支持高热负载
• 22 nC 典型栅极电荷,可实现灵敏的切换
• 20V 栅极容差可实现稳固的栅极驱动空间

应用


• 适用于高压直流-直流转换器级别
• 适用于电力电子领域的电机驱动电流级别
• 与同步降压稳压器配合使用,可提高效率
• 可用于服务器电源导轨中的高电流开关
• 适用于电池管理和配电模块

采用哪种封装,对电路板组装有何影响?


它采用 8 针 TDSON 表面贴装封装,可简化紧凑型板布局的自动拾放和焊接。

它能在哪些极端温度下工作?


该设备设计工作温度范围为 -55°C 至 150°C,适用于环境或接点操作场景。

通道配置如何影响控制?


N 型增强通道需要正向门对源电压进行传导,从而为切换应用提供简单的门驱动设计。

应施的最大栅极电压是多少?


栅极到源极电压不得超过 20 V,以避免损害栅极绝缘和设备完整性。

封装尺寸如何支持密集型设计?


其尺寸紧凑,为 5.35 x 6.1 x 1.2mm,有助于高密度布局,同时保持功率处理能力。

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